中国研制出首个半浮栅晶体管为微电子罕见成就2013-08-12复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET品体管和浮栅品体管之间的半浮栅晶体管（SFGT）o本报讯（记者黄辛）复巳大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶休管和浮栅晶休管之间的半浮栅晶体管（SFGT）o8月9H,美国《科学》杂志刊发了该研究成果。这是我国科学家首次在该杂志上发表微电了器件领域的论文，标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得重大突破。据介绍，金属一氧化物一半导体场效应晶体管（MOSFET）是口前集成电路中最基本的器件，而我们常用的U盘等闪存器件，多采川另一种被称为浮栅晶体管的器件。此次研究人员把一个隧穿场效应晶体管（TFET）和浮栅器件结合起来，构成了一种全新的“半浮栅”结构器件，称为半浮栅品体管。它貝有髙密度和低功耗的明显优势，可取代一部分静态随机存储器（SRAM）,并可应川于动态随机存储器（DRAM）领域以及主动式图像传感器芯片（APS）领域。“在这些领域，中国大陆具冇自主知识产权月•可应用的产品几乎没冇「张卫介绍说，作为一种基础电了器件，半浮栅晶体管在存储和图像传感等领域的潜在应用市场规模超过300亿美元。它的成功研制将有助于我国掌握集成电路的核心技术，从而在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多话语权。不同于实验室研究的基于碳纳米管、石黑烯等新材料的品体管，半浮栅品体管是一种基于标准硅CMOS工艺的微电子器件。SFGT原型辭件在复旦大学的实验宗中研制成功，而与标准CMOS工艺兼容的SFGT器件也已在国内生产线上被成功制造岀来。“半浮栅晶体管兼容现有主流集成电路制造工艺，具有很好的产业化基础。”张卫表示，不过，拥有核心专利并不等于拥有未來的广阔市场。尽管半浮栅晶体管应用市场广阔，但前提是对核心专利进行优化布局。作为一种基础电子器件，半浮栅晶体管在存储和图像传感等领域的潜在应用市场规模超过300亿美元。它的成功研制将有助丁•我国掌握集成电路的核心技术，从而在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多话语权。半浮栅晶体管兼容现冇主流集成电路制造工艺，具冇很好的产业化棊础。晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放人、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，慕于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay>switch）不同处在于品体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常Z快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。晶体管的出现，是电子技术之树上绽开的i朵绚丽多彩的奇葩。